一种精密半导体零件加工工艺的制作方法
栏目:行业资讯 发布时间:2026-02-02
   s2、将毛坯料(4)送入cnc数控加工中心,使用虎钳夹持毛坯料(4),在毛坯料(4)顶端粗加工出工艺站脚(5);  s3、翻转毛坯料(4),使工艺站脚(

  

一种精密半导体零件加工工艺的制作方法(图1)

  s2、将毛坯料(4)送入cnc数控加工中心,使用虎钳夹持毛坯料(4),在毛坯料(4)顶端粗加工出工艺站脚(5);

  s3、翻转毛坯料(4),使工艺站脚(5)位于毛坯料(4)底端,使用虎钳夹持工艺站脚(5);

  s6、使用定位销与螺栓将工艺站脚(5)固定在专用辅助治具上,此时半成品圆弧板(9)处于自然状态,将工件送入cnc数控加工中心,一体成型工件外形及特征工位,得到产品零件(1);

  2.根据权利要求1所述的一种精密半导体零件加工工艺,其特征在于:所述步骤s4中在粗加工半成品圆弧板(9)时,需要预留1.5mm的余量。

  3.根据权利要求1所述的一种精密半导体零件加工工艺,其特征在于:所述零件(1)的顶端及侧面边缘处均做圆角处理,所述零件(1)的上端面开设有若干凹槽(2),所述凹槽(2)内部钻有安装孔(3)。

  4.根据权利要求1所述的一种精密半导体零件加工工艺,其特征在于:所述工艺站脚(5)的表面开设有若干通槽(6),所述工艺站脚(5)表面开设有与定位销相对应的定位孔(7),以及与螺栓j6国际相对应的螺纹孔(8)。

  5.根据权利要求1所述的一种精密半导体零件加工工艺,其特征在于:所述步骤s8中零件(1)在精加工后,需要喷涂保护涂层,具体包括如下步骤:

  6.根据权利要求5所述的一种精密半导体零件加工工艺,其特征在于:所述保护涂层按照重量份数计包括如下组分:20-40份的聚醚改性环氧树脂、1-5份的钛白粉、1-3份的纳米二氧化硅、1-3份的纳米二氧化钛、5-7份的锆英粉、1-5份的硅藻土、10-20份的聚醋酸聚乙烯、10-20份的聚乙烯醇、20-40份的乙醇、50-90份的水。

  7.根据权利要求5所述的一种精密半导体零件加工工艺,其特征在于:所述步骤b中的零件(1)加热后表面温度为40-60℃,所述步骤d中的烘干温度为70-80℃,烘干时间为10-20min。

  8.根据权利要求1所述的一种精密半导体零件加工工艺,其特征在于:所述步骤s8中的精加工具体包括车圆角、磨削、抛光。

  本发明公开了一种精密半导体零件加工工艺,具体包括如下步骤:S1、挑选合适的备料,使用锯床加工成合适大小,得到毛坯料;S2、将毛坯料送入CNC数控加工中心,使用虎钳夹持毛坯料,在毛坯料顶端粗加工出工艺站脚;S3、翻转毛坯料,使工艺站脚位于毛坯料底端,使用虎钳夹持工艺站脚;S4、对毛坯料进行粗加工,得到半成品圆弧板;S5、对工件进行热处理,消除应力;本发明具备加工简单,投入成本低,避免重复定位,材料费用低,良率稳定,生产效率高,适用于批量加工等特点。