对于于元元器器件件,,重重点点放放在在特特性性、、参参数数、、技技术术指指标标和和正正确确使使用用方方法法,,不不要要过过分分追追究究其其内内部部机机理理。。讨讨论论器器件件的的目目的的在在于于应应用用。。
学会会用用工工程程观观点点分分析析问问题题,,即即根根据据实实际际情情况况,,对对器器件件的的数数学学模模型型和和电电路路的的工工作作条条件件进进行行合合理理的的近近似似,,以以便便用用简简便便的的分分析析方方法法获获得得具具有有实实际际意意义义的的结结果果。。
对电电路路进进行行分分析析计计算算时时,,只只要要能能满满足足技技术术指指标标,,就就不不要要过过分分追追究究精精确确的的数数值值。。
器件件是是非非线线性性的的、、特特性性有有分分散散性性、、RC的值值有有误误差差、、工工程程上上允允许许一一定定的的误误差差、、采采用用合合理理估估算算的的方方法法。。
绝缘缘体体:ρ1012cm如::橡橡胶胶、、陶陶瓷瓷、、塑塑料料等等
导体体::电阻阻率率ρ10-4cm如::金金((Au)、、银银((Ag)、、铜铜((Cu)、、锡锡((Sn)
导电电性性能能介介于于导导体体与与绝绝缘缘体体之之间间,受受温温度度、、光光照照和和掺掺杂杂程程度度影影响响极极大大
将四价元素素硅或锗材材料提纯并并形成单晶晶体后,便便形成共价价键结构。。
本征半导体体中由于载载流子数量量极少,导导电能力很很低。如果果在其中参参入微量的的杂质(某某种元素)将使其导导电能力大大大增强,,且其导电性性能由杂质质的类型和和掺杂的数数量支配,,而不再取取决于温度度。
在一块完整整的硅片上上,用不同同的掺杂工工艺使其一一边形成N型半导体体,另一边边形成P型型半导体。。
扩散:由于于载流子浓浓度差引起起的载流子子从浓度高高的地方向向浓度低的的地方运动动
PN结加加正向电压压时,PN结变窄,正正向电流较较大,正向向电阻较小小,PN结处于导通通状态。
PN结加加反向电压压j6国际时,PN结变宽,反反向电流较较小,反向向电阻较大大,PN结处于截止止状态。