亿威盛半导体科技申请基于超临界CO2的半导体碳化硅零部件清洗方法及设备专利能够有效去除碳化硅零部件表面的有机污染物和颗粒杂质
栏目：公司动态 发布时间：2026-01-29
国家知识产权局信息显示，亿威盛半导体科技（上海）有限公司申请一项名为“一种基于超临界CO2的半导体碳化硅零部件的清洗方法及设备”的专利，公开号CN121
国家知识产权局信息显示，亿威盛半导体科技（上海）有限公司申请一项名为“一种基于超临界CO2的半导体碳化硅零部件的清洗方法及设备”的专利，公开号CN121372938A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供了一种基于超临界CO2的半导体碳化硅零部件的清洗方法及设备，该方法包括将待清洗的碳化硅零部件置于超临界CO2清洗设备中，通过调节温度和压力使CO2达到超临界状态，利用超临界CO2的高渗透性和强溶解能力，对碳化硅零部件表面的有机污染物和颗粒杂质进行有效去除，清洗过程环保无污染，且不会对碳化硅材料造成损伤。
天眼查资料显示，亿威盛半导体科技（上海）有限公司，成立于2024年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本6650万人民币。通过天眼查大数据分析，亿威盛半导体科技（上海）有限公司专利信息11条。
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