AI驱动HBM需求爆发，DRAM供需持续偏紧，全球存储进入新一轮扩产周期。AI训练及推理需求持续增长，推动GPU、ASIC等AI芯片出货量快速提升，同时单芯片HBM容量、堆叠层数及带宽持续升级，HBM需求呈现量价齐升趋势。我们测算，全球HBM wafer需求将由2024年的2.9万片/月增长至2028年的44.2万片/月，年均复合增速超过90%。由于HBM持续挤占传统DRAM晶圆产能，AI对存储的挤出效应未来两年内仍难缓解，全球DRAM供需仍将维持紧平衡，国内外存储厂商扩产需求具备较强持续性。
HBM带动存储制程升级，设备投资额与资本开支同步提升。随着HBM向HBM4、HBM4E持续演进，DRAM制程不断升级，3D NAND同步向更高层数发展，先进存储单位产能对应设备投资额持续提升。与此同时，为满足高带宽、高堆叠、高良率要求，刻蚀、薄膜沉积、量检测等关键工艺的重要性进一步提高，设备数量及工艺复杂度同步增加。我们测算，薄膜、刻蚀及量测设备合计占存储设备资本开支超过50%，将充分受益于本轮存储扩产周期。
国内外存储同步扩产，平台化设备龙头及核心环节有望持续受益。海外三星、SK海力士、美光持续加大HBM及先进DRAM产能投入，国内长鑫存储、长江存储扩产节奏同步加快，国产存储市占率有望持续提升。随着存储景气度回升及新一轮资本开支开启，平台化设备商将凭借产品覆盖度持续提升率先受益，同时薄膜沉积、刻蚀、量检测等高价值量环节也将迎来更大的成长空间，看好具备平台化能力及国产替代优势的设备龙头长期成长。
投资建议：看好前后道半导体设备+零部件厂商，重点推荐前道设备【北方华创】【中微公司】【迈为股份】【芯源微】【屹唐股份】【中科飞测】【精测电子】【天准科技】【拓荆科技】【微导纳米】【先导基电】【华海清科】【盛美上海】【晶盛机电】；后道设备【长川科技】【华峰测控】；材料和零部件环节【富创精密】【新莱应材】【英杰电气】【汉钟精机】【晶盛机电】；建议关注后道设备【联讯仪器】【精智达】【联动科技】。
风险提示：半导体行业投资不及预期，设备国产化进程不及预期，技术迭代及工艺路线变化风险。