本项目拟通过建设现代化、购进先进生产设备等，打造先进半导体材料及表面处理基地，用以支持半导体刻蚀设备零部件产能建设。项目计划总投资31,737.00 万元，项目建设期 3 年，建设地点为四川省成都市。本项目的实施主体为成都超纯应用材料股份有限公司母公司。
公司以经营目标为导向，建立了覆盖关键设备自研改造、涂层材料制备改性、特殊涂层工艺开发、表面精密加工、特种金属和非金属材料精密成型、精密清洗及成品检测的全链条自主可控制造体系，保障了产品的一致性量产能力。同时，严格执行半导体行业标准，建立覆盖原材料入厂、生产过程监控及成品出厂检验的全流程质控体系，确保材料纯度、致密度等核心指标满足客户严苛要求，全方位提升了公司运营效率。
（1）保障半导体核心设备生产需求，深化半导体产业自主可控生产国家战略的需要
由于行业壁垒高、国内起步较晚，全球半导体零部件供应链依然由日本、欧美等海外企业占据绝对主导地位，而国内半导体零部件整体国产化率较低，特别是高端领域国产替代需求极为迫切。随着国外对中国半导体产业的技术封锁持续加码，技术及设备出口的管控范围和“实体清单”范围进一步扩大，围绕半导体产业开展的地缘政治竞争日趋激烈，中国半导体产业全产业链的自主可控需求已迫在眉睫。国产替代与自主可控将在举国体制下快速发展，这为本土半导体设备厂商提供了难得的发展机遇期。
公司聚焦半导体设备核心零部件领域，自主研发先进的特殊涂层工艺，能够在半导体刻蚀等多个工艺环节提供满足下游厂商需求的半导体零部件产品，并经过头部刻蚀设备厂商的多道严格的检验、认证程序，最终进入到客户 A、客户 B、客户 D 等国内半导体设备龙头企业的供应体系。同时，公司参与到客户先进制程的研发，根据客户需求实现生产工艺的改进以及产品的迭代，从而为我国刻蚀等半导体设备的国产化提供重要支持。
通过本项目的实施，公司将建设半导体材料及表面处理基地，为我国半导体刻蚀设备等领域厂商提供高性能零部件产品。一方面，本项目有助于公司进一步增强产品优势、促进产品迭代，从而进一步提高公司核心产品的综合竞争力。另一方面，有助于深化公司在半导体刻蚀零部件领域的业务布局，及时把握集成电路产业快速发展和半导体零部件国产替代的良好机遇，助力半导体产业自主可控生产的战略持续推进。
半导体刻蚀设备结构复杂、工序流程繁琐，所含零部件种类多样，包括反应腔本体、静电卡盘、冷泵、分子泵、真空泵、阀门、匀气盘等，刻蚀工艺要求零部件需具备高精度、强稳定、耐腐蚀的性能，因此，刻蚀设备厂商对零部件企业的生产能力要求较高。随着我国半导体产业的发展，庞大的市场需求量促使刻蚀设备厂商扩大产能增强供给，因此对掌握刻蚀设备零部件生产能力及加工技术的厂商供应能力提出更高要求。
公司凭借领先的特殊涂层工艺技术，建立了介质窗、喷淋头、喷嘴、刻蚀环等数十种机械类和光学类半导体特殊涂层零部件的多元化产品体系，得到了客户A、客户 B 等国内半导体设备龙头公司的认可，并实现长期稳定合作，为公司业务扩展提供重要支撑。
随着客户业务订单量的持续增长，公司产能瓶颈逐渐显现；基于现有条件公司产能提高空间十分有限，产能的受限导致公司订单消化能力减弱。同时，当前产能不仅限制了公司面向客户规模化、多样化需求与及时供货的能力，且设备高度饱和运转也不利于公司生产满足客户更高要求的产品。因此，为满足不断增长的市场需求和公司发展需要，公司亟需扩大现有产品的产能，提高生产效率。
通过本项目的实施，公司将通过购置先进的生产设备、改进生产场地、优化现有产品工艺等方式，提高半导体特殊涂层零部件产品的产能，并增强产品迭代能力、生产速度，从而提高产品生产能力与订单消化能力、产能与下游客户需求的匹配性，为公司进一步扩大生产规模、实现稳定发展奠定基础。
海外特殊涂层零部件厂商因避免技术泄密、国外政府限制等原因，在中国大陆建厂引入以阳极氧化、大气等离子喷涂技术为主的产品，均未将最先进的特殊涂层技术引进中国大陆。目前，国内厂商普遍采用阳极氧化等表面处理技术，在设备零部件外表面形成氧化物保护层，该方法仅适用于成熟制程。随着芯片制造的先进制程工艺线nm及以下节点持续突破，晶圆对颗粒污染和微量元素污染的容忍度呈指数级降低——纳米级别的颗粒剥落即可能造成微观电路短路、断路或功能失效，直接导致芯片良率大幅下滑。尤其
在先进制程需通过数十次刻蚀、薄膜沉积等工序构建复杂微观结构的背景下，反应腔内零部件表面的颗粒剥落的累积风险显著上升。因此在多样化的反应气体、极端温度波动及高频离子轰击等严苛工况下，避免介质窗、喷淋头、刻蚀环、内衬等距离晶圆最近的核心零部件产生颗粒剥落直接造成晶圆良率下降，已成为保障先进制程稳定量产、维持晶圆高良率的关键前提。研制更耐腐蚀、更耐高温冲击的特殊涂层零部件是集成电路制造向更先进制程迭代的必然发展路线。
因此，为追赶国际先进半导体制程步伐，国内企业在关键技术、核心材料、生产工艺等方面坚持创新，不断开展特色工艺设备研发，聚焦细分领域，实现局部创新，逐步实现以点带面的突破式发展。客户 B 与客户 A 作为国内刻蚀设备的龙头企业，设备覆盖先进制程，引领我国刻蚀设备从实现国产替代到逐渐具备全球竞争力。随着客户在先进制程领域持续投入，公司需要结合客户需求进一步改进表面处理工艺，实现所供产品的技术参数、性能指标满足先进制程需要，从而为我国先进刻蚀设备的发展做出贡献。
半导体设备是支撑半导体产业发展的基石，设备性能和先进性直接影响半导体产品制造的品质、工艺效率、良率和先进半导体芯片等的产业化应用。近年，全球半导体设备市场规模逐步扩张。根据 SEMI 数据显示，全球半导体设备销售额从 2019 年的 596 亿美元增长至 2024 年的 1,171 亿美元，2019-2024 年均复合增长率为 14.46%。
2023 年受全球半导体产业布局的影响，全球半导体设备市场规模短暂停滞增长，2024 年重新恢复增长势能，预计 2025 年和 2026 年市场规模持续增长至 1,255 亿美元和 1,381 亿美元。国内半导体设备行业在下游快速发展的推动下保持快速增长的趋势。根据 SEMI 数据，2024 年中国大陆半导体设备市场规模接近 500 亿美元，占全球半导体设备市场份额超过 40%。
经过多年的经营积淀，在设备厂商零部件配套市场，公司产品成功进入客户A、客户 B、客户 D、屹唐股份、华卓精科、鲁汶仪器等半导体制造设备龙头厂商的供应链体系，共同攻克各类设备精密零部件的特种工艺和重难点问题，推动半导体先进制造工艺的自主可控和创新迭代。在晶圆厂零部件替换市场，公司与客户 E、客户 F 等境内龙头晶圆代工企业、存储芯片企业及 IDM 厂商建立了稳定的合作关系，公司各类产品还已陆续送样至英特尔、德州仪器、青岛芯恩、士兰微、卓胜微、格科微、合盛硅业、隆基绿能等下游客户，用于 LAM、TEL、AMAT 公司的各类高端制程半导体设备零部件替换，持续满足市场存量设备使用过程中的零部件更换需求。
公司凭借技术优势和量产能力，在国产半导体核心零部件的刻蚀、光刻、薄膜沉积和退火设备等重要细分领域持续扩大市场占有率，保持了较为明显的竞争优势，这助力了公司后续在离子注入、扩散、键合和先进封装等领域的产品验证和市场开拓。与此同时，公司经过多年经验积累与技术积淀，拥有了丰富的工艺控制经验与先进的设备研制能力，可依据不同器件产品生产的需要进行定制化的工艺开发及设备配置，为公司生产新产品所需的设备改要求造、工艺升级打下坚实的基础。
公司自设立以来以技术为先导，持续推动公司内部运营体系建设，陆续建立完善内部管理体系，从而更好地满足技术迭代快、产品要求高、响应速度快的产业特征。目前，公司建立了覆盖关键设备自研改造、涂层材料制备改性、特殊涂层工艺开发、表面精密加工、特种金属和非金属材料精密成型、精密清洗及成品检测的全链条自主可控制造体系。
（1）深耕半导体设备特殊涂层领域，持续突破先进制程技术瓶颈，成为国内极少数 5nm 及以下制程刻蚀设备核心零部件的供应商
随着芯片制造的先进制程工艺不断迭代，从 14nm 向 7nm、5nm 及以下节点持续突破，晶圆对颗粒和微量元素污染的容忍度呈指数级降低——纳米级别的颗粒剥落即可能造成微观电路短路、断路或功能失效，直接导致芯片良率大幅下滑。尤其在先进制程需通过数十次刻蚀、薄膜沉积等工序构建复杂微观结构的背景下，反应腔内零部件表面的颗粒剥落的累积风险显著上升。
温冲击性等关键性能，发展成为国内极少数5nm 及以下制程刻蚀设备核心零部件的供应商。
（2）持续开展研发创新及技术攻克，提升产品核心竞争力，与半导体设备龙头企业、头部晶圆厂商、重点科研单位等达成稳定的合作关系
公司通过不断的技术研发与创新，持续攻克各类设备核心零部件的特种工艺和重难点问题。目前，公司深度融入国内半导体产业链生态，形成零部件“国产配套+进口替代”双轮驱动的战略布局，培育了客户 A、客户 B、客户 D、屹唐股份、华卓精科、鲁汶仪器等国产设备龙头公司与客户 E、客户 F 等头部厂商等优质客户，为未来可持续增长打造了坚实的基础。
公司以经营目标为导向，建立了覆盖关键设备自研改造、涂层材料制备改性、特殊涂层工艺开发、表面精密加工、特种金属和非金属材料精密成型、精密清洗及成品检测的全链条自主可控制造体系，保障了产品的一致性量产能力。同时，严格执行半导体行业标准，建立覆盖原材料入厂、生产过程监控及成品出厂检验的全流程质控体系，确保材料纯度、致密度等核心指标满足客户严苛要求，全方位提升了公司运营效率。
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