当年我们国家在光刻机这事儿上，本来起步不算晚，甚至一度跟国际大佬们齐头并进，可后来却拉开了20年的差距，其实就是造不如买。
回想新中国刚成立那会儿，工业底子薄得像一张纸，但领导层就认准了科技是立国之本。1956年，国家出台了十年科学远景规划，把半导体技术摆在头等大事的位置上。
那时候，科研人员咬着牙，靠着有限的设备和资料，从零起步。11月，第一只晶体三极管搞出来了，标志着我们正式跨进了半导体大门。紧接着，1958年，又整出了第一个锗晶体管，跟国外比，只晚了几年而已。
郭沫若生于1892年，早年去日本留学，本来学医的，后来转行搞文史，还投身革命。新中国成立后，他成了科学界的领军人物。
1958年当上中科院院长，他就特别推基础研究，总爱召集专家们开会讨论，边听边记，鼓励大家自力更生。郭沫若不光坐办公室，还常去实验室转转，了解进度。在他的带动下，中科院氛围热火朝天，大家觉得半导体这事儿关乎国家计算能力，尤其是国防上需要计算机来算弹道，得赶紧跟上。
进入60年代，进展更快了。1962年，第一代硅平面晶体管出来了，这就需要光刻技术来帮忙。那时候，技术员们在简陋的条件下，仔细琢磨工艺，避免一点点失误。
三年后，1965年，中科院微电子研究所跟上海电子仪器厂合作，推出了65型接触式光刻机。这台设备比美国第一台光刻机只晚四年，在当时的世界格局里，绝对是第一梯队的表现。
可好景不长，芯片制造产业没及时跟上，光刻机就缺少大规模应用，迭代起来慢吞吞的。七十年代初，美国搞出了接近式j6国际官网光刻机，咱们还停留在接触式。
1977年5月，在江苏吴县开了全国光刻机座谈会，42家单位67人聚一块儿，商量怎么追国际先进，加强情报收集，组织力量攻关。
次年，美国又推出分步投影光刻机，我们团队继续钻研，到1985年中电科45所才整出类似设备，技术相当，但时间差了七年。那时候，阿斯麦刚成立一年，市场份额小得可怜，台积电还得等两年才出现。
八十年代初，国际形势变了，中国跟西方关系改善，以前买不到的设备突然能进口了。光刻研发又复杂，花时花钱，有人就开始琢磨，直接买现成的多省事儿。这观念很快就成了主流，部分决策层觉得自研成本高，不如转向采购。
结果，一堆高端项目被迫停摆。拿运10飞机来说，1980年试飞成功，可1985年资金断了，项目就搁浅了。空军31个项目下马，包括远程轰炸机和武装直升机；海军11个也停了，像大型导弹驱逐舰。国防科研总共90个中断，好多已在关键节点。
“造不如买”的思路，说到底是短期利益作祟。它让一些中间商发了财，却让国家核心技术受制于人。早期我们在光刻上只落后四年，到九十年代差距拉大到十几年。
阿斯麦从起步艰难，逐步垄断市场，中国优势没能延续。科研人员小规模实验继续，但系统支持少，设备迭代慢。2002年，上海微电子成立，扛起攻关大旗，团队在张江园区测试样机。2007年，推出90纳米光刻机，可零件还得靠进口，受禁运影响。
新世纪，国家加大投入，863计划推极紫外光刻研究。工程师们逐步积累经验，2018年，超分辨光刻装备验收，分辨力到22纳米。科研工作者面对挑战，调整方案，坚持下去。
九十年代以来，光刻机技术虽有推进，但整体落后国际前沿二十年。阿斯麦从起步逐步垄断，中国早期优势未延续。科研人员在实验室小规模实验，缺少系统支持，设备迭代缓慢。
2002年，上海微电子成立，承担攻关任务，团队在张江园区工作，测试样机。2007年，推出90纳米光刻机，但零件依赖进口，受禁运影响。
进入新世纪，国家加大投入，863计划推动极紫外光刻研究。工程师在车间调试设备，记录数据，逐步积累经验。2018年，超分辨光刻装备通过验收，分辨力达22纳米。
2025年，中国光刻机领域取得明显突破。上海微电子的600系列光刻机实现90nm工艺量产，正在推进28nm浸没式研发。氟化氩光刻机核心指标如波长193纳米、分辨率≤65纳米，已具应用基础。
宇量昇与中芯国际合作测试，标志国产光刻机突破信号。宇量昇定位半导体设备研发，聚焦EUV国产化，构建独立生态。光刻机技术突破带动上游材料、精密机械升级，加速光刻胶、光学部件国产化，形成产业链升级格局。
2025年初，深圳实验室打造EUV原型机，目前测试阶段。由前阿斯麦工程师团队通过逆向工程开发，能产生极紫外光，但尚未产可用芯片。政府目标2028年用国产EUV产芯片，知情者称更现实是2030年，比分析师预估提前几年。
原型机用激光诱导放电等离子体，设计更简单、节能。全面生产预计2026年开始。中国大陆晶圆厂产能占全球17%，2026年300mm Fab厂占比将达26%。IC市场规模自主率从2012年14%增至2022年18%，2027年有望超26%。集成电路产业销售额2023年达1.2万亿，2024年超1.3万亿，同比增长超5%。
制造业方面，2024-2028年晶圆厂产能复合年均增长8.1%。成熟节点产能增长3.7%，主流节点增长26.5%，先进节点增长5.7%。中国主流节点产能占全球25%，2025年达32%，2028年达42%。这些进展得益国家政策支持和技术积累，尽管外部封锁，但自主创新步伐稳健。
郭沫若推动的早期工作，本该结出更多成果，但决策偏差导致长期被动。他等先驱努力为国家奠基，可中断历程影响深远。科研人员到晚年，常查看旧资料，叹息那段时光。
至今，光刻机领域虽进步，但“造不如买”思路让核心技术受制，教训深刻。中国半导体产业从50年代起步，经历曲折，如今正快速追赶。全球半导体市场转向大陆，晶圆厂投资加速。政策护航，大基金撬动地方基金，需求巨大，自给率提升。完整产业链形成，设计、制造、封测比重均衡。
回顾历史，国家扶持是科技成长关键，自主创新是民族工业必由之路。民用市场是技术创新活力源，自组织机制是产业升级关键。美国对华科技脱钩干扰全球供应链，但中国崛起正当时。未来，芯片自给率将进一步提高，助力高质量发展。