据时代周报记者采访到，“内存几乎一天一个价”。以256G的DDR5服务器内存为例，单条价格已超过4万元。“如果一次采购100根一盒，就是400万元，价值已经超过上海不少房产。”
2026年伊始，这轮自2024年末以来的存储涨价潮没有丝毫放缓的迹象，主要系人工智能服务器需求的爆发导致先进制程产能向HBM（高带宽存储器）等高端应用倾斜，挤压了其他市场的供给，引发全行业价格快速上涨。
数据显示，部分内存模组现货价格在一年内涨幅高达约1800%，三星与SK海力士更计划在2026年第一季度将服务器DRAM价格提升60%~70%。同时，北方j6国际官网华创、拓荆科技等半导体设备龙头股价接连刷新历史高点，市场资金积极涌入。
多家机构在近期研报中指出，国产半导体设备与材料企业将直接受益于国内存储原厂的高稼动率与持续扩产计划，尤其在前道制程、量测、清洗、CMP等环节已实现突破的企业，订单能见度正在提升，因此被视为此轮存储大周期的先行受益板块，伴随需求持续释放，原厂扩产都必须率先采购设备，设备企业的业绩能见度较高，成为资金在产业周期早期重点布局的方向。
SEMI在最新发布的《年终总半导体设备预测报告》中指出，2025年全球半导体制造设备总销售额预计达1330亿美元，同比增长13.7%，远超2024年1043亿美元的纪录，创下历史新高。
AI相关投资的爆发式增长成为贯穿全年的核心主线，尖端逻辑电路、存储芯片及先进封装三大领域的设备需求持续旺盛，推动市场规模不断突破。
2025年，芯片制造商为满足AI加速器、高性能计算和高端移动处理器的产能需求，持续加码先进节点投资，行业正加速向2nm GAA节点的大批量生产迈进。这一过程直接拉动了刻蚀、薄膜沉积、光刻等高端设备的需求，其中刻蚀设备因GAA制程对工艺精度的严苛要求，市场规模同比增长超20%。
SEMI数据显示，ASML 2025年全年EUV设备交付量达60余台，同比增长20%，台积电、三星为主要抢购企业；TEL发布用于GAA工艺的刻蚀设备TEO-3000，加工精度达单原子水平，2025年出货量120台，其中三星采购58台用于2nm产线搭建。国内市场，中微公司的CCP刻蚀设备已成功进入先进制程供应链，其60:1超高深宽比介质刻蚀设备成为国内先进制程标配，量产指标稳步提升，下一代90:1超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场；北方华创的深硅刻蚀设备实现先进逻辑电路制造批量应用。
存储设备市场的快速增长同样体现在细分领域，DRAM设备销售额预计2025年增长15.4%至225亿美元，而NAND设备市场在3D NAND堆叠技术进步的推动下，预计增长45.4%至140亿美元。
HBM制造流程中TSV工艺占总成本的30%，对深孔刻蚀设备、气相沉积设备、铜填充设备的工艺精度和稳定性提出了极高的要求。
2025年全球HBM相关设备订单量同比增长65%，其中刻蚀、沉积类设备订单占比超过70%。
国内外半导体设备制造商纷纷推出针对HBM等高端存储产品的新型设备，抢占市场份额。拓荆科技的HBM专用ALD设备通过头部存储厂商验证，2025年实现小批量出货。华卓精科推出的CMP装备、减薄装备、划切装备、边抛装备等产品均作为HBM、CoWos等芯片堆叠与先进封装工艺的关键核心装备，目前已在多家头部客户获得应用。
在半导体制造设备中，精密陶瓷零部件的成本占比可达10%左右，虽然看似不起眼，却是支撑整个半导体芯片制造的关键环节。
为实现高制程精度，先进陶瓷作为关键部件材料在以光刻机为代表的半导体装备中得以大量应用。碳化硅陶瓷具有优良的常温力学性能、优异的高温稳定性以及良好的比刚度和光学加工性能，特别适合用于制备光刻机等集成电路装备用精密陶瓷结构件，如用于光刻机中的精密运动工件台、骨架、吸盘、水冷板以及精密测量反射镜、光栅等陶瓷结构件等。其次，堇青石具备高的弹性模量，可以有效抵制平台高速移动扫描过程中的变形，增加稳定性，实现轻量化需求，如今ASML公司已实现堇青石材料在光刻机移动平台部件中的成熟应用及推广。
除了应用于移动平台，堇青石陶瓷还可以应用于反射镜及掩膜版等，如荷兰ASML，日本NIKON、CANON等公司大量采用微晶玻璃、堇青石等材料制备光刻机反射镜。
另外，压电陶瓷材料以其无磁性干扰、定位分辨率高、发热量小等特点广泛用于光刻机投影物镜中像差补偿镜的定位执行器。目前商用的多层压电驱动器多采用固溶或掺杂改性后锆钛酸铅（PZT）基压电材料。
在半导体刻蚀设备中，采用陶瓷材料制作的部件主要有窗视镜，气体分散盘，喷嘴，绝缘环，盖板，聚焦环和静电吸盘等。尤其是在等离子刻蚀环境中，对材料的耐腐蚀性要求极高，选择高纯Al2O3涂层、Y2O3涂层或Al2O3陶瓷作为刻蚀腔体和腔体内部件的防护材料。
陶瓷加热器是半导体薄膜沉积等设备中的重要部件，其核心功能就是在镀膜过程中实现对晶圆均匀加热和温度控制，使衬底表面上进行高精度的反应并生成薄膜。目前在现在越来越多的场景下，包括一些PVD沉积设备中，氮化铝陶瓷加热器和静电卡盘功能会做到一起，这样可以通过控制氮化铝的体积电阻率，获得大范围的温度域和充分的吸附力。
CMP是半导体制程中的关键技术，氧化铝陶瓷具备致密质、高硬度、高耐磨性的物理性质，以及良好的耐热性能、优良的机械强度，高温环境仍具有良好的绝缘性、良好的抗腐蚀性等物理性能，是用于制作CMP设备关键耗材的绝佳材料。
而随着HBM堆叠层数不断攀升，先进封装技术如CoWoS和Chiplet正成为竞争焦点，陶瓷劈刀等封装工具的需求也在悄然增长。
来源：中国电子报：AI驱动增长，国产半导体设备加速突围第一财经：存储芯片涨价潮席卷全球，国产半导体设备迎历史性机遇广州日报：一天一个价，涨幅远超黄金!业内人士:离谱，但还会涨国元证券：氮化铝陶瓷加热器和静电卡盘:半导体沉积和刻蚀环节核心组件业务值得期待中国粉体网、时代周报、经济日报
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
中科院院士：青年科学家 5 年内拿不出成果就面临淘汰，有的单位已现「马太」效应，重复给某一人奖励
21岁网红歌手情人节被男友杀害后将手机遭300元变卖，家属：希望能找回女儿的账号
开车撞人致死却拖欠赔偿金10年 唐山“教科书式老赖”送给女儿的40多万被法院判决“赠与无效”
小米Air手机遗憾遭砍：完全对标iPhone Air！5.5mm支持实体卡+eSIM
魅族23杀疯了！冲击1.0mm窄边天花板，骁龙8 Gen5加持要掀翻行业？
三星S26 Ultra国行版现身：卫星通信+eSIM，短板基本补齐了！